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導(dǎo)電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理
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可根據(jù)需求將整個(gè)加工部分置入手套箱內(nèi)加工
根據(jù)不同場景的需求，配置納秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）波段光源；皮秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）、紫外（355nm）波段光源；飛秒脈寬的紅外光纖（1030nm）、綠光（515nm）波段光源進(jìn)行微精細(xì)激光刻蝕、劃線、構(gòu)造去除、劃片、表面剝離等應(yīng)用。
適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應(yīng)用。
玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕，應(yīng)用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業(yè)。
適用于導(dǎo)電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對鈣鈦礦電池領(lǐng)域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術(shù)上有獨(dú)到的技術(shù)優(yōu)勢。
采用自主研發(fā)的控制軟件、直接導(dǎo)入CAD 數(shù)據(jù)CCD相機(jī)定位自動(dòng)激光刻蝕，操作簡單，方便快捷；采用通過軟件實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)振鏡與直線電機(jī)、電動(dòng)升降工作臺(tái)的設(shè)計(jì)，加上真空吸附托盤裝置，能有效地解決激光刻蝕加工運(yùn)行中的平穩(wěn)性。
設(shè)備集數(shù)控技術(shù)、激光技術(shù)、軟件技術(shù)等光機(jī)電高技術(shù)于一體，具有高靈活性、高精度、高速度等先進(jìn)制造技術(shù)的特征?？纱蠓秶鷥?nèi)進(jìn)行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產(chǎn)能，是一個(gè)可靠、穩(wěn)定和具有高性能價(jià)格比的產(chǎn)品。
主要構(gòu)成：激光器、光路系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)、電控制系統(tǒng)、定位系統(tǒng)、抽塵系統(tǒng)、真吸附空系統(tǒng)、大理石龍門結(jié)構(gòu)、鈑金結(jié)構(gòu)件等。
型號 | 納秒綠光ET200MG | 皮秒綠光 ET300MGPS | 皮秒紫外 ET300UV-PS | 飛秒紅外 ET300IR-FS | 飛秒綠光 ET300MG-FS | 實(shí)驗(yàn)室刻蝕機(jī) ET100IR/ET100MG | |
激光器 | 532nm | 532nm | 355nm | 1030nm | 515nm | 1064/532nm | |
功率 | 5/10W | 10/15/30W | 10/15/30W | 20/30/40W | 10W | 20W/5W | |
加工尺寸 | 100*100/200*200/300*300/400*300/600*600/600*900/700*1400mm可選 可定制加工幅面 | 110*110mm可選 | |||||
激光器頻率 | 30-150KHz | 1-1000KHz | 1-1000KHz | 25-5000KHz | 25-5000KHz | 1-2000KHz/ 30-100khz | |
振鏡 | 10/14mm通光孔徑 | 10mm通光孔徑 | |||||
聚焦鏡 | 40*40/70*70/110*110mm幅面（根據(jù)不同的應(yīng)用場景選擇） | 100-140mm可選 | |||||
擴(kuò)束鏡 | 4X | 2-8X可調(diào) | 1.5X | ||||
聚焦光斑 | ＜30μm | ＜10μm | ＜50μm | ||||
最小線寬 | ＜30μm | ＜10μm | ＜50μm | ||||
最大可根據(jù)需要可全部去除鍍層材料，如P4清邊處理 | |||||||
最小線間距 | ＜30μm | ＜10μm | ＜50μm | ||||
熱影響區(qū) | ＜5μm | ＜3μm | |||||
直線度 | ±10μm | ±5μm（最小可至±1μm） | ±20μm | ||||
Z軸電機(jī)行程 | 50mm（自動(dòng)軟件控制） | 手動(dòng)500mm | |||||
工作臺(tái)定位精度 | ±3μm | ±20μm | |||||
工作臺(tái)重復(fù)精度 | ±1μm | ±20μm | |||||
CCD相機(jī)定位精度 | ±3μm | ±10μm | |||||
刻蝕速度 | 最大刻蝕速度4000mm/s（單線） | ||||||
設(shè)備尺寸/重量 | 1200*1200*1700mm（300*00mm幅面內(nèi)） 約1000Kg 納秒 大尺寸及雙光路 1280*1400*1750mm（300*300mm幅面內(nèi)） 約1800Kg 皮秒/飛秒 電話聯(lián)系 1800*1800*1750mm（600*600mm幅面內(nèi)） 約2500kg皮秒/飛秒 | 1050*700*1660mm（L*W*H） 約300Kg | |||||
設(shè)備功耗 | ＜2500W | ＜3000W | ＜1500W | ||||
設(shè)備文件格式 | 標(biāo)準(zhǔn)CAD DXF文件 | DXF/PLT/JPG等 | |||||
備注：量產(chǎn)后一般采用多種波段激光配合使用，非單臺(tái)機(jī)器完成所有膜層制作。 | |||||||
P3碳粉激光刻蝕
P2氧化鋯氧化鈦刻蝕
P3金電極激光刻蝕
P2鈣鈦礦激光刻蝕
P2氧化錫鈣鈦礦刻蝕
P3銀電極激光刻蝕
P3銅電極激光刻蝕
P2鈣鈦礦激光刻蝕
P1 TCO FTO激光刻蝕
P2鈣鈦礦激光刻蝕
P3銅電極激光刻蝕
P1 TCO ITO激光刻蝕
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